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SiC基HEMT器件的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510416658.5
  • IPC分类号:H01L21/335
  • 申请日期:
    2015-07-15
  • 申请人:
    中国科学院半导体研究所
著录项信息
专利名称SiC基HEMT器件的制备方法
申请号CN201510416658.5申请日期2015-07-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-10-14公开/公告号CN104979195A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/335IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;5查看分类表>
申请人中国科学院半导体研究所申请人地址
北京市海淀区清华东路甲35号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院半导体研究所当前权利人中国科学院半导体研究所
发明人申占伟;张峰;赵万顺;王雷;闫果果;刘兴昉;孙国胜;曾一平
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人任岩
摘要
一种基于SiC材料的HEMT器件的制备方法,包括:清洗SiC衬底;将AlN薄膜淀积到SiC衬底上;将AlxGa1‑xN薄膜淀积到AlN薄膜上;将GaN薄膜淀积到AlxGa1‑xN薄膜上;对所述的AlN薄膜、AlxGa1‑xN薄膜、GaN薄膜的两侧进行ICP干法刻蚀,形成台面;在台面上制作Ti/Al/Ni/Au的4层金属,退火,形成基片;在基片上面淀积第一Si3N4钝化层;光刻蚀出窗口,在窗口内淀积栅金属电极;在第一Si3N4钝化层和栅金属电极上再次淀积第二Si3N4钝化层;刻蚀掉Ti/Al/Ni/Au的4层金属和栅金属电极上的第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层,互连金属完成器件制备。本发明具有高介电常数、高自发极化、高临界电场和晶格匹配的异质材料。

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