SE晶体硅太阳电池向光面种子层浆料及其制备方法、SE晶体硅太阳电池及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210317493.2
IPC分类号：H01B1/16;H01B1/22;H01B13/00;H01L31/0224;H01L31/18
申请日期：
2012-08-31
申请人：
上海比亚迪有限公司

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专利名称	SE晶体硅太阳电池向光面种子层浆料及其制备方法、SE晶体硅太阳电池及其制备方法
申请号	CN201210317493.2	申请日期	2012-08-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-03-26	公开/公告号	CN103680673A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B1/16 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B1/00 按导电材料特性区分的导体或导电物体；用作导体的材料选择（按材料特性区分的超导或高导导体、电缆或传输线入H01B 12/00）〔4〕 H01B1/14 分散在不导电无机材料中的导电材料〔3〕 H01B1/16 包含金属或合金的导电材料〔3〕	IPC分类号	H;0;1;B;1;/;1;6;;;H;0;1;B;1;/;2;2;;;H;0;1;B;1;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	上海比亚迪有限公司	申请人地址	上海市松江区车墩镇香泾路999号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海比亚迪有限公司	当前权利人	上海比亚迪有限公司
发明人	谭伟华;廖辉;符燕青
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种SE晶体硅太阳电池的向光面种子层浆料，所述向光面种子层浆料为含有70-85wt%金属功能粉体、2-10wt%无机玻璃粉和5-20wt%有机载体的混合物；所述金属功能粉体中含有球形纳米锑粉。本发明还提供了采用该种子层浆料制备晶体硅SE太阳电池片的方法以及由该方法制备得到的晶体硅SE太阳电池片。本发明提供的SE晶体硅太阳电池制备方法中，通过将向光面种子层浆料与传统向光面银导电浆料双重印刷与硅片正面后烧结，在正面银电极栅线下很好地形成选择性扩散区域，且电极与硅基体附着牢固，焊接强度高，电极的接触电阻小，填充因子高，使得本发明提供的SE晶体硅太阳电池的平均光电转换效率超过17.3%，且向光面电极制作成本得到有效降低。

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