首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310177850.4
IPC分类号：H01L23/485
申请日期：
2013-05-14
申请人：
爱思开海力士有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN201310177850.4	申请日期	2013-05-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-07-09	公开/公告号	CN103915398A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/485 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/482 由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的〔5〕 H01L23/485 包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;5查看分类表>
申请人	爱思开海力士有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	爱思开海力士有限公司	当前权利人	爱思开海力士有限公司
发明人	李起洪;皮昇浩;田锡旼
代理机构	北京弘权知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	许伟群;俞波

摘要

一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底中限定了单元区和接触区；焊盘结构，所述焊盘结构包括在衬底的接触区中彼此交替地形成的多个第一导电层和多个第一绝缘层，其中，所述焊盘结构的端部被图案化为台阶状，所述第一导电层的在所述焊盘结构的端部暴露的部分被定义为多个焊盘部分，并且所述多个焊盘部分具有比所述多个第一导电层的未暴露的部分大的厚度。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供