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一种垂直栅极结构的发光晶体管及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810028918.1
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2008-06-20
  • 申请人:
    华南师范大学
著录项信息
专利名称一种垂直栅极结构的发光晶体管及其制备方法
申请号CN200810028918.1申请日期2008-06-20
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-11-05公开/公告号CN101299448
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人华南师范大学申请人地址
广东省广州市天河区石牌中山大道西55号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华南师范大学当前权利人华南师范大学
发明人郭志友;高小奇;赵华雄;曾坤;孙慧卿;范广涵
代理机构广州粤高专利商标代理有限公司代理人何淑珍
摘要
本发明公开了一种垂直栅极结构的发光晶体管及其制备方法。本发明的发光晶体管,在衬底上依次生长着缓冲层、高浓度n型层、本征层、多量子阱层、p型层;缓冲层、高浓度n型层和本征层的外侧依次包裹着氧化物层和金属铝层,在高浓度n型层形成源电极,在p型层上设置着漏电极,栅电极与金属铝层相连。本发明的垂直栅极结构的发光晶体管,栅极区在晶体管侧面外围,形成的沟道均匀,本征层不会形成短沟道效应,耐压性能得到提高。

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