具有多晶硅接触的自对准MOS结构

发明专利有效专利

申请号：
CN200810040290.7
IPC分类号：H01L21/8234;H01L21/768;H01L27/04;H01L23/522
申请日期：
2008-07-02
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	具有多晶硅接触的自对准MOS结构
申请号	CN200810040290.7	申请日期	2008-07-02
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-01-06	公开/公告号	CN101621030
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/8234 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕 H01L21/78 把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L 21/304）〔2，6〕 H01L21/82 制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路〔2〕 H01L21/822 衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L 21/8258优先）〔6〕 H01L21/8232 场效应工艺〔6〕 H01L21/8234 MIS工艺〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;7;/;0;4;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人	邱慈云
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	刘继富;顾晋伟

摘要

本发明涉及一种用于制造半导体集成电路的方法及其所得到的结构。所述方法包括为半导体衬底提供上覆介电层和形成多晶硅栅极层和上覆盖层。所述栅极层覆盖在所述介电层之上。所述方法还包括使所述多晶硅栅极层图案化，以形成栅极结构和局部互联结构。所述栅极结构和局部互联结构包括在它们之间限定的接触区域。所述栅极结构还包括所述上覆盖层。所述方法包括在所述栅极结构和局部互联结构上形成侧壁隔离物以及去除所述局部互联结构上的侧壁隔离物。所述方法还包括在所述接触区域上形成接触多晶硅并将掺杂剂杂质注入所述接触多晶硅中。所述方法将所述掺杂剂杂质从所述接触多晶硅扩散到所述衬底的接触区域中以形成扩散结区。所述方法选择性地去除覆盖在所述栅极结构上的盖层。所述方法然后形成覆盖在所述栅极结构以及所述接触多晶硅表面上的硅化物层，由此所述侧壁隔离物将所述栅极结构上的硅化物层与所述接触多晶硅上的硅化物层隔离。

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