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一种改善关断电容的射频开关电路

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711331995.X
  • IPC分类号:H03K17/16;H03K17/56
  • 申请日期:
    2017-12-13
  • 申请人:
    上海华虹宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称一种改善关断电容的射频开关电路
申请号CN201711331995.X申请日期2017-12-13
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2018-04-20公开/公告号CN107947775A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03K17/16IPC分类号H;0;3;K;1;7;/;1;6;;;H;0;3;K;1;7;/;5;6查看分类表>
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人戴若凡
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人屈蘅
摘要
本发明公开了一种改善关断电容的射频开关电路,包括栅极电压控制模块、开关模块以及体极电压控制模块,所述开关模块包括多个级联的开关单元,各开关单元间均引入小电容至地通路,本发明通过在电路层次进行小电容并联至地或引入对地可控寄生小电容后段设计的电路设计方式,可以优化减小关断电容Coff并保持导通电阻Ron基本不变。

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