具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610056824.6
IPC分类号：H01F10/32;H01F10/12;H01F10/26;H01F41/22
申请日期：
2006-03-07
申请人：
中国科学院物理研究所

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著录项信息

专利名称	具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料及其制备方法
申请号	CN200610056824.6	申请日期	2006-03-07
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-10-11	公开/公告号	CN1845266
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F10/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F10/00 磁性薄膜，如单畴结构的 H01F10/32 自旋交换耦合的多层，例如纳米结构的超晶格〔7〕	IPC分类号	H;0;1;F;1;0;/;3;2;;;H;0;1;F;1;0;/;1;2;;;H;0;1;F;1;0;/;2;6;;;H;0;1;F;4;1;/;2;2查看分类表>
申请人	中国科学院物理研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村南三街8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院物理研究所	当前权利人	中国科学院物理研究所
发明人	倪经;蔡建旺
代理机构	北京泛华伟业知识产权代理有限公司	代理人	高存秀

摘要

本发明涉及一种具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料及其制备方法，该材料采用真空沉积镀膜法和再退火的工艺，制备出包括在基片上依次设置缓冲层、铁磁层和一反铁磁层，或者在缓冲层设置反铁磁层再设置铁磁层和一保护层。该钉扎体系引入L10有序相反铁磁(Cr1-xMnx)0.5+δPt0.5-δ(0.3≤x≤0.6；|δ|＜0.06)作为钉扎材料。该材料相对于已有的反铁磁材料(比如FeMn、IrMn、NiMn和PtMn等)制成的铁磁/反铁磁体系，具有非常好的热稳定性，大的交换偏置场以及优越的抗腐蚀性，加之成分范围广，是另一种非常理想的反铁磁钉扎材料。其制备方法简单，适于工业化生产。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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