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存储器单元结构及磁阻性随机存取存储器结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200710141045.0
  • IPC分类号:H01L23/522;H01L27/22
  • 申请日期:
    2007-08-16
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称存储器单元结构及磁阻性随机存取存储器结构
申请号CN200710141045.0申请日期2007-08-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2008-06-11公开/公告号CN101197345
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/522IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;7;/;2;2查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人廖忠志;王郁仁;蔡嘉雄
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司代理人陈晨
摘要
一种存储器单元结构及磁阻性随机存取存储结构,包括:一存储器叠层,具有一下电极及一上电极;一导体延伸层,电性连接下电极,且具有位于该存储叠层下的一主要部分及自位于存储叠层下的主要部分横向延伸的一延伸部;一数据控制线,用以控制该存储器叠层的存储状态,其直接形成于存储器叠层和导体延伸层的主要部分下;一下金属层,形成于延伸部之下,且电性耦接于一开关装置,以读取存储器叠层的存储状态;以及一介层插塞结构,直接连接延伸部至下金属层,且直接横向相邻于数据控制线。该介层插塞结构包括第一介层插塞,直接连接该下金属层;第二介层插塞,直接形成于第一介层插塞上且连接延伸部;其中第一介层插塞具有介层插塞结构的最大宽度。

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