半导体装置及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN96190349.X
IPC分类号：--
申请日期：
1996-04-17
申请人：
精工爱普生株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体装置及其制造方法
申请号	CN96190349.X	申请日期	1996-04-17
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	1997-05-28	公开/公告号	CN1150866
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	精工爱普生株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	精工爱普生株式会社	当前权利人	精工爱普生株式会社
发明人	东野彻
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	姜郛厚;叶恺东

摘要

在将薄膜多晶硅，既作为布线、也作为TFT(Thin FilmTransistor)构成要素使用的微细半导体装置中，当反向结二极管介于由多晶硅构成的电流通路之间时，不需增加特别工序，就可使其反向二极管的漏电流增大，并确保必要的电流供给能力。漏电流的增大，或者是通过将由多晶硅构成的二极管的PN结面的浓度梯度做成很陡，或者是使结面附近非结晶化而实现的。例如，作为大规模的SRAM的存储单元，作为触发电路的负载，而使用由薄膜多晶硅构成的TFT型单元时，可经由反向二极管，向许多存储单元，供给足够的电流。因此，可以实现超高集成度的存储器IC。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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