一种薄膜体声波谐振器及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110572586.9
IPC分类号：H03H9/17;H03H9/02;H03H3/02
申请日期：
2021-05-25
申请人：
武汉敏声新技术有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种薄膜体声波谐振器及制备方法
申请号	CN202110572586.9	申请日期	2021-05-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-31	公开/公告号	CN113328722A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H9/17 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H9/00 包括机电或电声器件的网络；机电谐振器（制造压电或磁致伸缩元件入H01L 41/00；扬声器，话筒，唱机拾音器或类似物入H04R） H03H9/15 由压电或电致伸缩材料构成的谐振器的结构特点（H03H 9/25优先）〔3〕 H03H9/17 具有单个谐振器（晶体调谐音叉入H03H 9/21）〔3〕	IPC分类号	H;0;3;H;9;/;1;7;;;H;0;3;H;9;/;0;2;;;H;0;3;H;3;/;0;2查看分类表>
申请人	武汉敏声新技术有限公司	申请人地址	湖北省武汉市洪山区武汉大学中部创意大厦1803 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉敏声新技术有限公司	当前权利人	武汉敏声新技术有限公司
发明人	孙成亮;高超;邹杨
代理机构	北京高沃律师事务所	代理人	王爱涛

摘要

本发明涉及一种薄膜体声波谐振器及制备方法。该谐振器包括：包括：衬底、种子层、下电极层、压电薄膜层以及上电极层；所述衬底的上表面刻蚀出空腔；所述种子层、所述下电极层、所述压电薄膜层以及所述上电极层依次沉积在所述衬底上表面；在所述压电薄膜层的有效区域的边界的设定范围刻蚀形成沟槽；所述有效区域为所述种子层、所述下电极层、所述压电薄膜层以及所述上电极层重合的区域。本发明所提供的一种薄膜体声波谐振器及制备方法，能够有效的提高薄膜体声波谐振器的机电耦合系数。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供