一种3D内存芯片

发明专利有效专利

申请号：
CN201510141482.7
IPC分类号：G11C11/15G11C11/406
申请日期：
2015-03-27
申请人：
上海磁宇信息科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种3D内存芯片
申请号	CN201510141482.7	申请日期	2015-03-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-06-01	公开/公告号	CN105632545A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/15 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/02 应用磁性元件的 G11C11/14 应用薄膜元件的 G11C11/15 应用多层磁性层的（G11C 11/155优先）〔2〕	IPC分类号	G11C11/15;G11C11/406查看分类表>
申请人	上海磁宇信息科技有限公司	申请人地址	上海市嘉定区城北路235号二号*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海磁宇信息科技有限公司	当前权利人	上海磁宇信息科技有限公司
发明人	戴瑾
代理机构	上海容慧专利代理事务所（普通合伙）	代理人	于晓菁

摘要

本发明公开了一种3D内存芯片，基于3D‑SIC技术将MRAM和DRAM混合使用，构成3D结构的内存芯片，其包括N个层叠的MRAM芯片，N为正整数；M个层叠的DRAM芯片，M为非负整数；其中，所述MRAM芯片和所述DRAM芯片沿同一方向层叠设置；所述MRAM芯片和所述DRAM芯片均采用DDRDRAM接口标准；所有所述MRAM芯片和所有所述DRAM芯片中相同的引线管脚通过过硅通孔电连接至同一个封装引脚。在此基础上，又提供了一种能够有效控制片选信号线数量的多芯片选通机制。