给体采用弱外延生长薄膜的有机太阳能电池

发明专利无效专利

申请号：
CN200910067006.X
IPC分类号：H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48;C23C16/44
申请日期：
2009-05-25
申请人：
中国科学院长春应用化学研究所

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专利名称	给体采用弱外延生长薄膜的有机太阳能电池
申请号	CN200910067006.X	申请日期	2009-05-25
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2009-10-21	公开/公告号	CN101562230
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/42 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/42 专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;4;2;;;H;0;1;L;5;1;/;4;4;;;H;0;1;L;5;1;/;4;6;;;H;0;1;L;5;1;/;4;8;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4查看分类表>
申请人	中国科学院长春应用化学研究所	申请人地址	吉林省长春市人民大街5625号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院长春应用化学研究所	当前权利人	中国科学院长春应用化学研究所
发明人	闫东航;于波;黄丽珍;陈为超;乔小兰
代理机构	长春科宇专利代理有限责任公司	代理人	马守忠

摘要

本发明涉及给体采用弱外延生长薄膜的有机太阳能电池。在光滑的导电衬底表面生长形成大尺寸连续的p-型有机半导体多晶薄膜用作诱导层，诱导层的价带能级与导电衬底功函数差值小于0.3eV，有利于空穴电荷的有效传输。利用不同分子间相互作用，在诱导层表面弱外延生长高品质的p-型有机半导体层，在此基础上制备有机太阳能电池。本发明克服了传统方法中高温沉积薄膜粗糙度增加以及形成针孔导致器件短路的缺点，使器件性能大幅提高，能量转换效率达到3％以上。OVPD方法利用载气运输纳米晶分子，直接在低温电极上沉积形成纳米晶。本发明的方法是采用真空沉积方法，不需要载气。

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