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改善互连工艺中半导体器件可靠性的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310180680.5
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L21/316
  • 申请日期:
    2013-05-16
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称改善互连工艺中半导体器件可靠性的方法
申请号CN201310180680.5申请日期2013-05-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-11-26公开/公告号CN104167385A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;6查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人白凡飞;赵婧;宋兴华
代理机构上海光华专利事务所代理人李仪萍
摘要
本发明提供一种改善互连工艺中半导体器件可靠性的方法,本发明分两步形成包括第一PEOX层和位于其上的第二PEOX层的顶层互联结构的介电质层,其中,形成第一PEOX层比形成第二PEOX层采用更低的能量和更低的沉积速率,从而使第一PEOX层相较于第二PEOX层具有更高的致密性和更强的压应力,又由于顶层互联结构对直接位于其下前一互联结构的超低k值金属间介电质产生金属拉应力,因此,第一PEOX层具有更强的压应力可以更好地抵消前述的金属拉应力,以降低超低k值金属间介电质因金属拉应力造成的损伤,从而降低漏电流、提高器件的击穿电压和电迁移率等方面的性能,以提高器件的电性测试和可靠性方面的性能,提高器件良率。

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