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卫星太阳阵表面充电数值模拟预估的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710038438.9
  • IPC分类号:G06F17/50
  • 申请日期:
    2007-03-26
  • 申请人:
    中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
著录项信息
专利名称卫星太阳阵表面充电数值模拟预估的方法
申请号CN200710038438.9申请日期2007-03-26
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-10-01公开/公告号CN101276378
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06F17/50IPC分类号G;0;6;F;1;7;/;5;0查看分类表>
申请人中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所申请人地址
甘肃省兰州市兰州市94号信箱 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所当前权利人中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
发明人李凯;秦晓刚;王立;柳青
代理机构上海蓝迪专利事务所代理人徐筱梅
摘要
本发明公开了一种卫星太阳阵表面充电数值模拟预估的方法,它包括确定太阳电池阵所处的空间环境参数、太阳阵表面材料特性及结构参数、建立卫星太阳阵表面充电数值模拟模型、对模型进行数值模拟计算、建立卫星太阳阵表面充电电位图五个步骤;它以动态等离子体模型为基础,结合卫星结构及材料表面的特性,利用PIC方法,设计了粒子沉积判断算法和粒子-电流结合的模拟算法,对复杂的航天器结构与空间等离子体带电环境相互作用进行精确的数值分析,大大节约了卫星研制设计成本,可为卫星防护设计提供直接的参考数据,非常适用于航天器表面各种结构材料的充电数值分析。

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