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发光二极管的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510343269.4
  • IPC分类号:H01L33/10;H01L33/00
  • 申请日期:
    2015-06-19
  • 申请人:
    天津三安光电有限公司
著录项信息
专利名称发光二极管的制备方法
申请号CN201510343269.4申请日期2015-06-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-09-09公开/公告号CN104900772A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/10IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;1;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人天津三安光电有限公司申请人地址
天津市西青区华苑产业区海泰南道20号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津三安光电有限公司当前权利人天津三安光电有限公司
发明人申利莹;董木森;张君逸;潘冠甫;吴超瑜;王笃祥
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开发光二极管的制备方法,具有显著增加光的反射,增强发光二极管发光效率的有益效果,是通过以下步骤实现的:(1)提供一生长衬底;(2)在生长衬底上依次沉积缓冲层、N型层、发光层和P型层;(3)分别在N型层和P型层上制备N电极和P电极;(4)对生长衬底背面研磨减薄;(5)提供一与生长衬底直径相同的Si衬底;(6)将Si衬底与生长衬底背面进行对位;(7)通过键合工艺将Si衬底键合在生长衬底背面,然后研磨减薄,形成薄层Si;(8)对生长衬底背面上薄层Si进行热氧化反应,形成Si/SiO2结构;(9)循环步骤(5)~(8),形成n对Si/SiO2组成的DBR结构。

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