制备用于变阻器的包含金属氧化物的半导体陶瓷的方法

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专利名称	制备用于变阻器的包含金属氧化物的半导体陶瓷的方法
申请号	CN200610006918.2	申请日期	2006-01-24
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-11-29	公开/公告号	CN1870185
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	阿海珐T&D有限公司	申请人地址	法国巴黎变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	阿海珐T&D有限公司	当前权利人	阿海珐T&D有限公司
发明人	迈赫达德·哈桑扎德;塞利娜·马查多-巴伊;雷诺·梅斯;拉蒙·普亚内
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	章社杲;李丙林

摘要

本发明披露了一种制备基于掺杂的氧化锡的半导体陶瓷的方法，该方法是通过将PADO(前体合金直接氧化)型方法用于锡和掺杂金属的合金上，或者通过将PADO型方法用在锡上，而掺杂金属以氧化物形式加到要烧结的粉末中。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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