一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的直拉区熔气掺法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210059756.4
IPC分类号：C30B13/12;C30B13/28;C30B29/06
申请日期：
2012-03-08
申请人：
天津市环欧半导体材料技术有限公司

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专利名称	一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的直拉区熔气掺法
申请号	CN201210059756.4	申请日期	2012-03-08
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-07-04	公开/公告号	CN102534753A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B13/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B13/00 区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼（C30B 17/00优先；改变所处理固体之横截面的入C30B 15/00；在保护流体下的入C30B 27/00；具有一定结构的均匀多晶材料的生长入C30B 28/00；特定材料的区域精炼，见该材料的相应小类）〔3，5〕 C30B13/08 熔融区中添加结晶化材料或添加在反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的〔3〕 C30B13/10 同时添加掺杂材料的〔3〕 C30B13/12 以气态或气化态的〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;3;/;1;2;;;C;3;0;B;1;3;/;2;8;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	天津市环欧半导体材料技术有限公司	申请人地址	天津市西青区华苑产业园区（环外）海泰东路12号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津市环欧半导体材料技术有限公司	当前权利人	天津市环欧半导体材料技术有限公司
发明人	张雪囡;菅瑞娟;徐强;李建宏;王彦君;沈浩平
代理机构	天津中环专利商标代理有限公司	代理人	莫琪

摘要

本发明涉及一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的直拉区熔气掺法，在硅多晶棒的生产时，采用双石英坩埚法、降压直拉法获得轴向电阻率一致的硅多晶，之后将硅多晶进行机加工并退火后置于区熔炉内，通过区熔法进行单晶拉制，若区熔单晶硅掺杂剂目标浓度为c0，则控制硅多晶的尾部掺杂剂浓度为c0，k为掺杂剂偏析系数；由于本发明的多晶料棒的掺杂剂浓度均匀一致，且保持阶段无需进行气掺，则硅熔体浓度均匀性非常高，综上所述，本发明相比与NTD法，成本较低，且生产周期较短；与区熔气掺法和直拉区熔法相比，径向电阻率均匀性得到了有效提高。

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