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一种生长高纯半绝缘碳化硅单晶的方法及装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201510223992.9
IPC分类号：C30B13/20;C30B29/36
申请日期：
2015-05-05
申请人：
山东天岳先进材料科技有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种生长高纯半绝缘碳化硅单晶的方法及装置
申请号	CN201510223992.9	申请日期	2015-05-05
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2015-07-15	公开/公告号	CN104775149A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B13/20 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B13/00 区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼（C30B 17/00优先；改变所处理固体之横截面的入C30B 15/00；在保护流体下的入C30B 27/00；具有一定结构的均匀多晶材料的生长入C30B 28/00；特定材料的区域精炼，见该材料的相应小类）〔3，5〕 C30B13/16 熔融区的加热〔3〕 C30B13/20 感应法，例如热线式法（C30B 13/18优先）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;3;/;2;0;;;C;3;0;B;2;9;/;3;6查看分类表>
申请人	山东天岳先进材料科技有限公司	申请人地址	山东省济南市槐荫区天岳南路99号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山东天岳先进科技股份有限公司	当前权利人	山东天岳先进科技股份有限公司
发明人	高玉强;宗艳民;宋建;王希杰;张红岩
代理机构	济南舜源专利事务所有限公司	代理人	苗峻;杨婷

摘要

本发明涉及一种高纯半绝缘碳化硅单晶的方法及装置，属于单晶生长技术领域。本发明采用特定装置将生长SiC单晶用坩埚及保温材料进行预处理，并在单晶生长过程中引入特定的气体，有效减少SiC单晶中的施主杂质N、受主杂质B及金属离子杂质，提高了电阻率，并且避免了钒掺杂半绝缘SiC的深俘获中心对高频大功率器件功率输出的影响，制得了高纯半绝缘碳化硅单晶。

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