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晶体管布置中的金属密封剂

发明专利有效专利

申请号：
CN201910126197.6
IPC分类号：H01L29/41;H01L29/49
申请日期：
2019-02-20
申请人：
英特尔公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	晶体管布置中的金属密封剂
申请号	CN201910126197.6	申请日期	2019-02-20
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-08-27	公开/公告号	CN110176494A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/41 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/40 按其电极特征区分的〔2〕 H01L29/41 以其形状、相对尺寸或位置为特征的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;4;1;;;H;0;1;L;2;9;/;4;9查看分类表>
申请人	英特尔公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英特尔公司	当前权利人	英特尔公司
发明人	A.A.沙尔马;T.加尼;J.T.卡瓦列罗斯;G.德维;V.H.勒;L.D.黄;C.J.耶泽夫斯基
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	张凌苗;申屠伟进

摘要

晶体管布置中的金属密封剂。本文中公开了晶体管电极‑沟道布置，以及相关的方法和器件。例如，在一些实施例中，晶体管电极‑沟道布置可以包括沟道材料、在沟道材料之上提供的源极/漏极电极、以及至少部分地包围源极/漏极电极中的一个或多个的密封剂，其中密封剂包括一种或多种金属导电材料。

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