沟槽引出集成型低压双向瞬时电压抑制器及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610732260.7
IPC分类号：H01L27/08;H01L21/8222;H01L21/762
申请日期：
2016-08-27
申请人：
上海长园维安微电子有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	沟槽引出集成型低压双向瞬时电压抑制器及其制造方法
申请号	CN201610732260.7	申请日期	2016-08-27
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2016-11-16	公开/公告号	CN106129058A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/08 只包括有一种半导体组件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人	上海长园维安微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区施湾七路1001号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海维安半导体有限公司	当前权利人	上海维安半导体有限公司
发明人	吕海凤;赵德益;赵志方;王允;霍田佳;张啸;苏亚兵;苏海伟
代理机构	上海东亚专利商标代理有限公司	代理人	董梅

摘要

本发明沟槽引出的集成型低压双向瞬时电压抑制器，包括第一导电类型衬底；在衬底上有第二导电类型的外延层；在第二导电类型外延层上有第一导电类型外延层；第一隔离沟槽进入第一导电类型衬底，并形成第一区域和第二区域；第一区域中由第一导电类型注入区、第二导电类型扩散区及第一类型的外延形成二极管Z1，第一导电类型外延和第二导电类型外延形成二极管D1；第二区域中由第一导电类型注入区、第二导电类型扩散区及第一类型的外延形成二极管Z2，第一导电类型外延和第二导电类型外延形成二极管D2；第二引出沟槽，进入第二导电类型外延层，内填高浓度第二导电类型多晶硅；由第一金属线IO1连接所述二极管Z1和D2，第二金属线IO2连接所述二极管Z2和D1。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供