基于硅工艺的三维结构TM010-λ/4毫米波谐振器

发明专利无效专利

申请号：
CN200910100067.1
IPC分类号：H01P7/00;H03H11/00
申请日期：
2009-06-22
申请人：
浙江大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	基于硅工艺的三维结构TM010-λ/4毫米波谐振器
申请号	CN200910100067.1	申请日期	2009-06-22
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-11-18	公开/公告号	CN101582531
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01P7/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01P 波导；谐振器、传输线或其他波导型器件（工作在光频的入G02B） H01P7/00 波导型谐振器	IPC分类号	H;0;1;P;7;/;0;0;;;H;0;3;H;1;1;/;0;0查看分类表>
申请人	浙江大学	申请人地址	浙江省杭州市西湖区浙大路38号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江大学	当前权利人	浙江大学
发明人	史治国;洪少华;王先锋;陈俊丰;陈抗生
代理机构	杭州求是专利事务所有限公司	代理人	林怀禹

摘要

本发明公开了一种基于硅工艺的三维结构TM010-λ/4毫米波谐振器。两个有源电路的两个输出端a、b与对应λ/4谐振器的两个开路端在硅基片层与封装层交界处进行连接，每个λ/4谐振器的两个短路端与圆柱波导谐振器在第一导电金属板上连接，通过第一导电金属板上的槽缝实现能量耦合，矩形波导装配在第一、第二导电金属板之间，矩形波导的一个矩形壁和圆柱波导外壁相交，相交的公共部分去除以实现矩形波导和圆柱波导的能量耦合。本发明适合于在基于硅工艺的封装层面上实现，无源电路与硅基片上的电源、信号线耦合小，硅基片的损耗影响小，同时能够获得比传统λ/4谐振器高出一个数量级的功率输出，因此在基于硅工艺的毫米波集成电路中具有应用价值。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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