使用非晶亚铁磁性合金、由自旋极化电流写入的磁存储器，及其写入方法

发明专利有效专利

申请号：
CN02818383.5
IPC分类号：G11C11/16;H01F10/32;H01F10/12
申请日期：
2002-09-19
申请人：
国家科研中心

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	使用非晶亚铁磁性合金、由自旋极化电流写入的磁存储器，及其写入方法
申请号	CN02818383.5	申请日期	2002-09-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2004-12-22	公开/公告号	CN1556998
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/16 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/02 应用磁性元件的 G11C11/16 应用磁自旋效应的存储元件的	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;1;6;;;H;0;1;F;1;0;/;3;2;;;H;0;1;F;1;0;/;1;2查看分类表>
申请人	国家科研中心	申请人地址	法国巴黎变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国家科研中心	当前权利人	国家科研中心
发明人	让-皮埃尔·诺兹莱斯;劳伦特·兰诺;耶恩·康劳克斯
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚

摘要

本发明涉及一种磁存储器，其中每个存储器点由磁隧道结(60)构成，该磁隧道结包括：称为受限制层(61)的磁性层，具有硬磁化；称为自由层(63)的磁性层，其磁化可以被翻转；以及设置在自由层(73)和受限制层(71)之间并且与所述两层分别接触的绝缘层(62)。自由层(63)由基于稀土或过渡金属的非晶或纳米晶合金制成，所述合金的磁有序是亚铁磁类型，所述自由层基本为平面磁化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供