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一种平坦化有源驱动TFT矩阵结构及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610076552.6
  • IPC分类号:H01L27/12;H01L21/84
  • 申请日期:
    2006-04-30
  • 申请人:
    京东方科技集团股份有限公司
著录项信息
专利名称一种平坦化有源驱动TFT矩阵结构及其制造方法
申请号CN200610076552.6申请日期2006-04-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2007-10-31公开/公告号CN101064316
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/12IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4查看分类表>
申请人京东方科技集团股份有限公司申请人地址
北京经济技术开发区西环中路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京京东方光电科技有限公司当前权利人北京京东方光电科技有限公司
发明人王章涛;邱海军;陈旭;闵泰烨;林承武
代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司代理人马晶晶
摘要
本发明公开了一种平坦化有源驱动TFT矩阵结构,包括基板、栅线、栅电极及栅绝缘层,栅线和栅电极被栅绝缘层包覆在基板上,栅绝缘层包含第一和第二栅绝缘层,其中第一栅绝缘层位于栅线和栅电极上,第二栅绝缘层位于没有栅线和栅电极的区域,所述第二栅绝缘层与所述第一层栅绝缘层的上表面平齐,使栅绝缘层上表面呈水平状,半导体层、源漏电极及像素电极均形成在栅绝缘层上。本发明同时还公开了制造该平坦化有源驱动TFT矩阵结构的方法。本发明形成的平坦化栅绝缘层表面非常有利于后续有源层、源漏金属层、钝化层和像素电极层的沉积,减少了各种金属线断线的发生,同时还可减少栅绝缘层内应力的形成,有利于成品率的提高。

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