消除静电荷的方法及基片卸载方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510869466.X
IPC分类号：H01L21/683;H01L21/02
申请日期：
2015-12-02
申请人：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

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著录项信息

专利名称	消除静电荷的方法及基片卸载方法
申请号	CN201510869466.X	申请日期	2015-12-02
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2017-06-09	公开/公告号	CN106816402A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/683 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕 H01L21/683 用于支承或夹紧的（用于定位、定向或对准的入H01L 21/68）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;8;3;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司	申请人地址	北京经济技术开发区文昌大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方华创微电子装备有限公司	当前权利人	北京北方华创微电子装备有限公司
发明人	李玉站
代理机构	北京荟英捷创知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	左文;段志慧

摘要

本发明提供了一种消除静电荷的方法及基片卸载方法，该消除静电荷的方法，包括以下步骤:向基片背面吹第一气体，以使基片和静电卡盘之间存在间隙；同时向腔室内通入第二气体，并激发所述第二气体形成等离子体。本发明提供的消除静电荷的方法及基片卸载方法，可保证在后续卸载基片时不会发生粘片，因而可避免粘片造成基片被顶碎或者基片发生倾斜而造成被机械手撞碎，从而保证基片卸载过程可靠、安全的运行。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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