一种重频低磁场轴向C波段高功率微波器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201610512851.3
IPC分类号：H01J25/10
申请日期：
2016-07-04
申请人：
中国工程物理研究院应用电子学研究所

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专利名称	一种重频低磁场轴向C波段高功率微波器件
申请号	CN201610512851.3	申请日期	2016-07-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-11-09	公开/公告号	CN106098510A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J25/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J25/00 渡越时间管，如速调管、行波管、磁控管（渡越时间管的零部件入H01J 23/00，粒子加速器入H05H） H01J25/02 在调制区调制电子注的速度或密度，随后在感应区放出能量，上述两个区域与一个或一个以上谐振腔相连的管子 H01J25/10 速调管，即有两个或两个以上谐振腔，无电子注反射且在输入腔区主要是速度调制的管子	IPC分类号	H;0;1;J;2;5;/;1;0查看分类表>
申请人	中国工程物理研究院应用电子学研究所	申请人地址	四川省绵阳市919信箱1013分箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国工程物理研究院应用电子学研究所	当前权利人	中国工程物理研究院应用电子学研究所
发明人	张运俭;孟凡宝;丁恩燕;陆巍
代理机构	成都九鼎天元知识产权代理有限公司	代理人	詹永斌

摘要

本发明公开了一种重频低磁场轴向C波段高功率微波器件，它包括阳极、阴极、引导磁场发生器、慢波结构和同轴内导体，所述的阳极内部设置有发射区和束波互作用区，所述的阴极设置在发射区内，所述的慢波结构和同轴内导体均设置在阳极的束波互作用区内，所述的阴极与同轴内导体同轴，慢波结构与阳极的内侧固定且设置在同轴内导体的外围，重频低磁场轴向C波段高功率微波器件内部抽真空形成一真空腔，真空腔的真空度不超过10毫帕。发射区与束波互作用区之间设置有挡板，挡板上设置有用于引导阴极产生的强流电子束进入束波互作用区的注入口，注入口为环形，环形的直径与阴极直径一致。本发明具有可重频产生C波段高功率微波，束波转换效率高的特点。

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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