一种多腔耦合增强的纳米等离子体激光器阵列及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910209417.1
IPC分类号：H01S5/022;H01S5/40;H01S5/30;H01S5/10;H01S5/04;H01S5/042
申请日期：
2019-03-19
申请人：
北京工业大学

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专利名称	一种多腔耦合增强的纳米等离子体激光器阵列及其制备方法
申请号	CN201910209417.1	申请日期	2019-03-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-05-31	公开/公告号	CN109830886A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/022 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/02 基本上不涉及激光作用的结构零件或组件〔7〕 H01S5/022 安装座；外壳〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;2;2;;;H;0;1;S;5;/;4;0;;;H;0;1;S;5;/;3;0;;;H;0;1;S;5;/;1;0;;;H;0;1;S;5;/;0;4;;;H;0;1;S;5;/;0;4;2查看分类表>
申请人	北京工业大学	申请人地址	北京市朝阳区平乐园100号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京工业大学	当前权利人	北京工业大学
发明人	关宝璐;张成龙;杨悦;吴宇辰
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

一种多腔耦合增强的纳米等离子体激光器阵列及其制备方法，属于光学技术领域。包括半导体衬底，半导体增益谐振腔，绝缘介质层(3)，金属包裹层，在半导体衬底上有半导体增益谐振腔阵列，即在半导体衬底和半导体增益谐振腔阵列的表面设有绝缘介质层，绝缘介质层将每个半导体增益谐振腔包裹，同时绝缘介质层还保持半导体增益谐振腔阵列的图形，即形成半导体增益谐振腔‑绝缘介质层阵列，在绝缘介质层上设有金属包裹层，同时金属包裹层还填充了绝缘介质层上的阵列图形。本发明相邻谐振腔之间的表面等离子模式(倏逝波)相互之间可以进行互相耦合，从而提高了纳米激光器的性能，并实现超高密度等离子体激光器面阵输出。

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