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自对准硅化物阻挡层的制作工艺方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200510110707.9
  • IPC分类号:H01L21/316
  • 申请日期:
    2005-11-24
  • 申请人:
    上海华虹NEC电子有限公司
著录项信息
专利名称自对准硅化物阻挡层的制作工艺方法
申请号CN200510110707.9申请日期2005-11-24
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2007-05-30公开/公告号CN1971857
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/316
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;1;6查看分类表>
申请人上海华虹NEC电子有限公司申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人陈华伦;周贯宇
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人丁纪铁
摘要
本发明公开了一种自对准硅化物阻挡层的制作工艺方法,先利用CVD的方法生长第一层二氧化硅,再利用HDP的方法在第一层二氧化硅上面生长第二层二氧化硅。本发明可解决自对准硅化物阻挡层在多晶硅线条之间的填充能力问题,并有效克服针孔现象,达到降低漏电流的目的。

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