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单晶硅衬底多结太阳电池

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910009001.1
  • IPC分类号:H01L31/042;H01L31/052
  • 申请日期:
    2009-02-12
  • 申请人:
    北京索拉安吉清洁能源科技有限公司
著录项信息
专利名称单晶硅衬底多结太阳电池
申请号CN200910009001.1申请日期2009-02-12
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2009-07-15公开/公告号CN101483202
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/042
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;4;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;5;2查看分类表>
申请人北京索拉安吉清洁能源科技有限公司申请人地址
北京市西城区金融大街19号富凯大厦B座708B 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京索拉安吉清洁能源科技有限公司当前权利人北京索拉安吉清洁能源科技有限公司
发明人索拉安吉
代理机构暂无代理人暂无
摘要
一种基于单晶硅衬底的多结太阳电池,用于太阳能发电,特别适用于高效聚光太阳能发电系统。其特征在于,采用硅单晶片为衬底,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)方法生长多结太阳电池材料。首先在硅单晶片上生长锗硅合金过渡层,再依次外延生长锗电池结构、铟镓砷电池结构和铟镓磷电池结构。该发明以硅单晶片替代锗单晶片和砷化镓单晶片,可以大大降低多结太阳电池的成本,提高硅基太阳电池的转换效率,加快太阳能发电的应用和发展。

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