溅射设备和半导体器件的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN98125028.9
IPC分类号：--
申请日期：
1998-10-29
申请人：
日本电气株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	溅射设备和半导体器件的制造方法
申请号	CN98125028.9	申请日期	1998-10-29
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1999-07-07	公开/公告号	CN1221970
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	日本电气株式会社	申请人地址	日本神奈川县川崎市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	井上显;安彦仁;樋口实
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	张志醒;王忠忠

摘要

提供一种制造半导体器件的方法，用于形成高熔点金属硅化物层，在溅射设备不造成损坏的条件下溅射高熔点金属。还提供制造半导体器件的溅射设备。发明方法中，已形成有半导体元件栅电极的硅衬底上淀积高熔点金属形成高熔点金属膜，之后，热处理，在与高熔点金属膜的界面形成高熔点金属硅化物，在到达栅电极的电荷量小于5c/cm2的条件下用磁控溅设备溅射淀积高熔点金属膜。此外，溅射设备30设有导电材料构成的其中有许多从靶通向晶片的通孔的校准板，校准板位于靶夹具16与晶片夹具之间并接地。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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