顶部发光OLED器件阳极结构及其制备工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN201310137012.4
IPC分类号：H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
申请日期：
2013-04-19
申请人：
云南北方奥雷德光电科技股份有限公司

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专利名称	顶部发光OLED器件阳极结构及其制备工艺
申请号	CN201310137012.4	申请日期	2013-04-19
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-07-24	公开/公告号	CN103219472A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/52 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/52 器件的零部件〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;4;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人	云南北方奥雷德光电科技股份有限公司	申请人地址	云南省昆明市五华区教场东路31号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	云南北方奥雷德光电科技股份有限公司	当前权利人	云南北方奥雷德光电科技股份有限公司
发明人	王光华;段瑜;邓荣斌;张筱丹;季华夏
代理机构	昆明祥和知识产权代理有限公司	代理人	和琳

摘要

本发明涉及有机发光二极管制造技术领域，特别是一种顶部发光OLED器件阳极结构的制备，其特征在于包括四层薄膜覆盖在基底上，从基底往上分别为基底兼容层、中间反射率层、能级匹配层和阳极改性层；采用了多层薄膜结构设计实现了阳极的多功能性，明显提高了顶部发光OLED器件的发光效率、工作寿命。另外，本发明采用了不易产生元素扩散材料制备阳极，降低由于元素扩散导致器件像素发生短路的几率；本发明所采用的金属单质、合金或金属化合物，原料具有易得、价格便宜、薄膜制备手段多样等优点。

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