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隔离结构的形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410025112.2
  • IPC分类号:H01L21/762
  • 申请日期:
    2014-01-20
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称隔离结构的形成方法
申请号CN201410025112.2申请日期2014-01-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-07-22公开/公告号CN104795351A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人郭世璧;张庆勇;周儒领;周侃;董洁琼
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人骆苏华
摘要
一种隔离结构的形成方法,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底内形成沟槽;采用第一沉积工艺向所述沟槽内沉积绝缘材料,所述第一沉积工艺为从第一沉积速率开始随着沉积时间的增加不断增加沉积速率至第二沉积速率;采用第二沉积工艺继续向所述沟槽内沉积绝缘材料至填充满所述沟槽,所述第二沉积工艺为从第三沉积速率开始随着沉积时间的增加不断增加沉积速率至第四沉积速率。所述形成方法能够实现无孔隙和无损伤填充,形成高质量的隔离结构,并且同时提高生产效率。

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