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半导体器件制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210135041.2
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L21/28
  • 申请日期:
    2012-04-29
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称半导体器件制造方法
申请号CN201210135041.2申请日期2012-04-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-10-30公开/公告号CN103377948A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3# 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人罗军;邓坚;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏
代理机构北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)代理人陈红
摘要
本发明公开了一种半导体器件制造方法,包括步骤:在衬底上形成栅极堆叠结构,在栅极堆叠结构两侧的衬底中形成源漏区;在栅极堆叠结构以及源漏区上形成栅极保护层;执行离子注入,在源漏区表面形成一层非晶硅区;在栅极堆叠结构以及非晶区上淀积金属层;执行退火,使得金属层与非晶硅区反应形成金属硅化物。依照本发明的半导体器件制造方法,通过离子注入在源漏区中形成非晶硅区,限制了金属扩散方向,抑制了金属硅化物的横向延伸,进一步提高了器件的性能。

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