测试半导体器件内的通孔中的残留物的测试结构

发明专利有效专利

申请号：
CN200410067452.8
IPC分类号：H01L21/66
申请日期：
2004-10-25
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	测试半导体器件内的通孔中的残留物的测试结构
申请号	CN200410067452.8	申请日期	2004-10-25
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2006-05-03	公开/公告号	CN1767163
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人	陈祯祥;吴启熙
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	李勇

摘要

本发明提出一种测试半导体器件内的通孔中的残留物的测试结构，测试结构是半导体器件内设置的一对指叉式梳形通孔链结构，包括：用焊盘A连接的第一组梳形通孔链结构，和用焊盘B连接的第二组梳形通孔链结构，每组梳形通孔链结构包括多条通孔链，两组梳形通孔链结构相互交叉排列构成一对指叉式梳形通孔链结构，测试结构中的每条梳形通孔链由第一金属层(M1)、有多个通孔的通孔层(Vial)和第二金属层(M2)构成。

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