具有内埋式静电防护功能的发光二极管芯片封装结构

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200820125581.1
IPC分类号：H01L25/00;H01L23/31;H01L23/488;H01L23/60
申请日期：
2008-08-14
申请人：
宏齐科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	具有内埋式静电防护功能的发光二极管芯片封装结构
申请号	CN200820125581.1	申请日期	2008-08-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;3;/;6;0查看分类表>
申请人	宏齐科技股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	宏齐科技股份有限公司	当前权利人	宏齐科技股份有限公司
发明人	汪秉龙;杨秉洲;陈佳雯
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	梁挥;张燕华

摘要

一种具有内埋式静电防护功能的发光二极管芯片封装结构，包括：导电单元、第一封装单元、静电防护单元、第二封装单元、发光单元及第三封装单元。导电单元具有至少两个彼此相邻排列以形成一凹陷空间的导电接脚。第一封装单元包覆每一个导电接脚的一部分，以产生一与凹陷空间相连通的容置空间，并使得每一个导电接脚的末端露出封装单元。静电防护单元容置于凹陷空间内并电性连接于两个导电接脚之间。第二封装单元容置于凹陷空间内以覆盖静电防护单元。发光单元容置于容置空间内并电性连接于两个导电接脚之间。第三封装单元容置于容置空间内以覆盖发光单元。

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