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双空腔磁性Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>@mSiO<sub>2</sub>@BiOCl-Ag/AgBr复合材料及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810448273.0
  • IPC分类号:B01J27/128;B01J35/10;C02F1/30;C02F1/70;C02F101/22;C02F101/30
  • 申请日期:
    2018-05-11
  • 申请人:
    陕西科技大学
著录项信息
专利名称双空腔磁性Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>@mSiO<sub>2</sub>@BiOCl-Ag/AgBr复合材料及其制备方法
申请号CN201810448273.0申请日期2018-05-11
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-10-09公开/公告号CN108620099A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B01J27/128IPC分类号B;0;1;J;2;7;/;1;2;8;;;B;0;1;J;3;5;/;1;0;;;C;0;2;F;1;/;3;0;;;C;0;2;F;1;/;7;0;;;C;0;2;F;1;0;1;/;2;2;;;C;0;2;F;1;0;1;/;3;0查看分类表>
申请人陕西科技大学申请人地址
陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人陕西科技大学当前权利人陕西科技大学
发明人李伟;何书熬;陈珂
代理机构西安西达专利代理有限责任公司代理人暂无
摘要
一种双空腔磁性Fe3O4@mSiO2@BiOCl‑Ag/AgBr复合材料,该材料具有摇铃状双空腔结构,包括mSiO2@BiOCl‑Ag/AgBr介孔复合微球外层空腔,以及Fe3O4磁性中空微球内层空腔。本发明还提供了该复合材料的制备方法,包括1)stober法在Fe3O4微球表面生长SiO2层;2)通过CTAB胶束模板法合成mSiO2/CTAB复合层;3)蚀刻二氧化硅中间层;萃取CTAB;4)通过APTES对介孔二氧化硅层进行表面胺基功能化;5)溶剂热反应得到双空腔磁性Fe3O4@mSiO2@BiOCl‑Ag/AgBr复合材料。本发明可以实现对难降解有机污染物先富集再催化降解的有效处理。

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