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一种激光光刻三维微纳器件超临界流体显影装置及方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910415063.6
  • IPC分类号:G03F7/30;G03F7/42;B82Y40/00
  • 申请日期:
    2019-05-17
  • 申请人:
    华中科技大学
著录项信息
专利名称一种激光光刻三维微纳器件超临界流体显影装置及方法
申请号CN201910415063.6申请日期2019-05-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-10-08公开/公告号CN110308624A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/30IPC分类号G;0;3;F;7;/;3;0;;;G;0;3;F;7;/;4;2;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人华中科技大学申请人地址
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华中科技大学当前权利人华中科技大学
发明人甘棕松;骆志军;刘亚男
代理机构武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙)代理人黄君军
摘要
本发明公开了一种激光光刻三维微纳器件超临界流体显影装置及方法,该装置包括腔体、若干激光通孔、若干激光挡板、第一流体通孔、第二流体通孔、第一流体阀门、第二流体阀门和若干光发射结构,其中,所述第一流体通孔和所述第二流体通孔均贯通设置于所述腔体中,并用于向所述腔体中导入或导出超临界流体;所述光反射结构均设置于所述腔体的内壁上,用于引导入射激光进行方向变化。本发明通过引入超临界流体,可彻底去除光刻胶并避免了残留;同时,在超临界流体协同作用下,通过激光光刻三维微纳器件超临界流体显影装置可对微纳器件进行二维或三维的复杂结构设计。

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