一种LED封装结构

1.一种LED封装结构，其特征在于，所述LED封装结构包括：
基板；
位于所述基板第一表面的多组第一LED芯片组和多组第二LED芯片组，每组所述第一LED芯片组包括一个或者多个直线排列的第一LED芯片，每组所述第二LED芯片组包括一个或者多个直线排列的第二LED芯片；
将第一LED芯片发出的光转换成冷色光的第一波长转换器，所述第一波长转换器覆盖所述第一LED芯片组中的第一LED芯片；以及
将第二LED芯片发出的光转换成暖色光的第二波长转换器，所述第二波长转换器覆盖所述第二LED芯片组中的第二LED芯片；
其中，第一LED芯片组和第二LED芯片组在第一方向上平行排列，且第一LED芯片组和第二LED芯片组在与第一方向垂直的第二方向上交替排列。
2.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述基板为氧化铝陶瓷基板或者氮化铝陶瓷基板。
3.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，第一LED芯片组和第二LED芯片组构成的阵列在相互垂直的第一方向和第二方向上对称分布，且对称轴相交于所述基板的中心。
4.根据权利要求1或3所述的LED封装结构，其特征在于，所述基板为矩形，所述第一方向平行于矩形基板的一组对边，所述第二方向平行于矩形基板的另一组对边。
5.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述第一LED芯片组和第二LED芯片组的组数相等。
6.根据权利要求5所述的LED封装结构，其特征在于，所述第一LED芯片组和第二LED芯片组的组数总和为4～12，且为偶数。
7.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，在第二方向上，每组LED芯片组中LED芯片的数量小于或者等于与之相邻且更靠近中心的LED芯片组中LED芯片的数量。
8.根据权利要求7所述的LED封装结构，其特征在于，在第二方向上排列在最外侧的两组LED芯片组包括的LED芯片的数量最少，其余LED芯片组包括的LED芯片的数量相等，且大于最外侧的两组LED芯片组包括的LED芯片的数量。
9.根据权利要求7所述的LED封装结构，其特征在于，在第二方向上，每组LED芯片组中LED芯片的数量从所述基板的外侧向内侧递增。
10.根据权利要求7所述的LED封装结构，其特征在于，每组LED芯片组中LED芯片的数量相同。
11.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，每个LED芯片组中的各个LED芯片之间的间距相等。
12.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，相邻LED芯片组之间的间距相等。
13.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述第一LED芯片和所述第二LED芯片发出峰值波长为440nm至460nm的蓝光波段。
14.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述第一波长转换器激发产生
470nm至780nm的光，其峰值波长为500nm至510nm。
15.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述第一LED芯片经所述第一波长转换器后形成的冷色光的色温介于6000K至8000K之间，显色指数大于85。
16.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述第二波长转换器激发产生
470nm至780nm的光，其峰值波长为600nm至640nm。
17.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述第二LED芯片经所述第二波长转换器后形成的暖色光的色温介于2700K至3300K之间，显色指数大于85。
18.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述第一波长转换器和所述第二波长转换器为荧光粉膜。
19.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，荧光粉膜的外边缘超出所述第一LED芯片和所述第二LED芯片的外边缘的距离为0～50微米。
20.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述LED封装结构还包括焊盘，所述焊盘位于所述基板的第二表面，所述第二表面和所述第一表面相对；所述焊盘包括：
正极焊盘，位于所述基板的第二表面的一侧，所述正极焊盘包括相互分离的第一正极焊盘和第二正极焊盘；
负极焊盘，位于所述基板的第二表面的另一侧，所述负极焊盘包括相互分离的第一负极焊盘和第二负极焊盘；
散热焊盘，位于所述基板的第二表面的中心，且位于正极焊盘和负极焊盘之间。
21.根据权利要求20所述的LED封装结构，其特征在于，多组第一LED芯片组中的多个第一LED芯片之间串联，并且与所述基板第二表面的第一正极焊盘和第一负极焊盘电连接；
多组第二LED芯片组中的多个第二LED芯片之间串联，并且与所述基板第二表面的第二正极焊盘和第二负极焊盘电连接；
所述第一LED芯片组的第一LED芯片和所述第二LED芯片组的第二LED芯片之间无电路连接。
22.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述LED封装结构还包括围坝，所述围坝位于多个相邻的LED芯片之间以及LED芯片的外围，并暴露出所述LED芯片的表面。
23.根据权利要求22所述的LED封装结构，其特征在于，所述LED封装结构还包括透镜，所述透镜覆盖部分所述围坝的表面。

一种LED封装结构\n技术领域\n[0001] 本实用新型涉及LED封装技术领域，特别涉及一种LED封装结构。\n背景技术\n[0002] 随着智慧照明系统的普及以及对照明要求的提高，越来越多的照明场合需要涉及光源色温可变，目前色温可变的光源方案主要为将不同色温的LED芯片通过芯片级封装(Chip Scale Package，CSP封装)方式安装于灯具内或者通过板上芯片封装(Chips on Board，COB封装)方式实现光源色温可变方案。\n[0003] 其中，CSP封装因具有较大的发光面间距会增加二次光学设计的难度，而COB封装一般封装功率较大，一般封装功率都在十几瓦以上，不太适用于一些封装功率相对较小的场合。\n实用新型内容\n[0004] 鉴于上述问题，本实用新型的目的在于提供一种LED封装结构，采用陶瓷封装不同色温的LED芯片，适应不同封装功率，同时降低二次光学设计难度。\n[0005] 本实用新型提供一种LED封装结构，所述LED封装结构包括：\n[0006] 基板；\n[0007] 位于所述基板第一表面的多组第一LED芯片组和多组第二LED芯片组，每组所述第一LED芯片组包括一个或者多个直线排列的第一LED芯片，每组所述第二LED芯片组包括一个或者多个直线排列的第二LED芯片；\n[0008] 将第一LED芯片发出的光转换成冷色光的第一波长转换器，所述第一波长转换器覆盖所述第一LED芯片组中的第一LED芯片；以及\n[0009] 将第二LED芯片发出的光转换成暖色光的第二波长转换器，所述第二波长转换器覆盖所述第二LED芯片组中的第二LED芯片；\n[0010] 其中，第一LED芯片组和第二LED芯片组在第一方向上平行排列，且第一LED芯片组和第二LED芯片组在与第一方向垂直的第二方向上交替排列。\n[0011] 优选地，所述基板为氧化铝陶瓷基板或者氮化铝陶瓷基板。\n[0012] 优选地，第一LED芯片组和第二LED芯片组构成的阵列在相互垂直的第一方向和第二方向上对称分布，且对称轴相交于所述基板的中心。\n[0013] 优选地，所述基板为矩形，所述第一方向平行于矩形基板的一组对边，所述第二方向平行于矩形基板的另一组对边。\n[0014] 优选地，所述第一LED芯片组和第二LED芯片组的组数相等。\n[0015] 优选地，所述第一LED芯片组和第二LED芯片组的组数总和为4～12，且为偶数。\n[0016] 优选地，在第二方向上，每组LED芯片组中LED芯片的数量小于或者等于与之相邻且更靠近中心的LED芯片组中LED芯片的数量。\n[0017] 优选地，在第二方向上排列在最外侧的两组LED芯片组包括的LED芯片的数量最少，其余LED芯片组包括的LED芯片的数量相等，且大于最外侧的两组LED芯片组包括的LED芯片的数量。\n[0018] 优选地，在第二方向上，每组LED芯片组中LED芯片的数量从所述基板的外侧向内侧递增。\n[0019] 优选地，每组LED芯片组中LED芯片的数量相同。\n[0020] 优选地，每个LED芯片组中的各个LED芯片之间的间距相等。\n[0021] 优选地，相邻LED芯片组之间的间距相等。\n[0022] 优选地，所述第一LED芯片和所述第二LED芯片发出峰值波长为440nm至460nm的蓝光波段。\n[0023] 优选地，所述第一波长转换器激发产生470nm至780nm的光，其峰值波长为500nm至\n510nm。\n[0024] 优选地，所述第一LED芯片经所述第一波长转换器后形成的冷色光的色温介于\n6000K至8000K之间，显色指数大于85。\n[0025] 优选地，所述第二波长转换器激发产生470nm至780nm的光，其峰值波长为600nm至\n640nm。\n[0026] 优选地，所述第二LED芯片经所述第二波长转换器后形成的暖色光的色温介于\n2700K至3300K之间，显色指数大于85。\n[0027] 优选地，所述第一波长转换器和所述第二波长转换器为荧光粉膜。\n[0028] 优选地，荧光粉膜的外边缘超出所述第一LED芯片和所述第二LED芯片的外边缘的距离为0～50微米。\n[0029] 优选地，所述LED封装结构还包括焊盘，所述焊盘位于所述基板的第二表面，所述第二表面和所述第一表面相对；所述焊盘包括：\n[0030] 正极焊盘，位于所述基板的第二表面的一侧，所述正极焊盘包括相互分离的第一正极焊盘和第二正极焊盘；\n[0031] 负极焊盘，位于所述基板的第二表面的另一侧，所述负极焊盘包括相互分离的第一负极焊盘和第二负极焊盘；\n[0032] 散热焊盘，位于所述基板的第二表面的中心，且位于正极焊盘和负极焊盘之间。\n[0033] 优选地，多组第一LED芯片组中的多个第一LED芯片之间串联，并且与所述基板第二表面的第一正极焊盘和第一负极焊盘电连接；\n[0034] 多组第二LED芯片组中的多个第二LED芯片之间串联，并且与所述基板第二表面的第二正极焊盘和第二负极焊盘电连接；\n[0035] 所述第一LED芯片组的第一LED芯片和所述第二LED芯片组的第二LED芯片之间无电路连接。\n[0036] 优选地，所述LED封装结构还包括围坝，所述围坝位于多个相邻的LED芯片之间以及LED芯片的外围，并暴露出所述LED芯片的表面。\n[0037] 优选地，所述LED封装结构还包括透镜，所述透镜覆盖部分所述围坝的表面。\n[0038] 本实用新型提供的LED封装结构，通过在第一LED芯片组和第二LED芯片组上覆盖不同的波长转换器，以使得所述第一LED芯片组中的第一LED芯片发出冷色光，所述第二LED芯片组中的第二LED芯片发出暖色光，同时第一LED芯片组和第二LED芯片组在第二方向上交替排列，使得发出冷色光的第一LED芯片和发出暖色光的第二LED芯片均匀分布在所述基板上；且所述第一LED芯片组中的第一LED芯片以及第二LED芯片组的第二LED芯片呈直线排列，使得LED芯片的布线简单易操作。\n[0039] 在优选地实施例中，第一LED芯片组和第二芯片组构成的阵列在相互垂直的第一方向和第二方向上对称分布，且对称轴相交于所述基板的中心，以做到经过二次光学系统后光型不出现偏心的情况，且更有利于封装尺寸的最小化。\n[0040] 在优选地实施例中，在第二方向上，每组LED芯片组中LED芯片的数量小于或者等于与之相邻且更靠近中心的LED芯片组中LED芯片的数量，以使得LED芯片尽量分布于所述基板的中心，这样的LED芯片排布更容易获得圆形光斑。\n[0041] 在优选地实施例中，多组第一LED芯片组中的多个第一LED芯片之间串联，多组第二LED芯片组中的多个第二LED芯片之间串联，所述第一LED芯片组的第一LED芯片和所述第二LED芯片组的第二LED芯片之间无电路连接，以使得发出冷色光的第一LED芯片和发出暖色光的第二LED芯片实现单独控制。\n[0042] 在优选地实施例中，所述第一LED芯片组和第二LED芯片组的组数相等，以使得发出冷色光的第一LED芯片组和第二LED芯片组经过二次光学系统后具有相同的光型。\n[0043] 在优选地实施例中，当LED芯片功率相对较小时，所述基板例如为氧化铝陶瓷基板，其具有较好的散热性；当LED芯片功率相对较大时，所述基板例如为氮化铝陶瓷基板，其具有优异的散热性。通过选择不同的陶瓷基板材料，来适应不同功率的LED芯片。\n附图说明\n[0044] 通过以下参照附图对本实用新型实施例的描述，本实用新型的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：\n[0045] 图1示出了本实用新型第一实施例的LED封装结构的立体结构示意图；\n[0046] 图2示出了图1沿AA方向的截面图；\n[0047] 图3示出了本实用新型第一实施例的LED封装结构的电路连接示意图；\n[0048] 图4示出了本实用新型第一实施例的LED封装结构的仰视图；\n[0049] 图5示出了本实用新型第一实施例的LED封装结构的透镜的结构示意图；\n[0050] 图6示出了本实用新型第二实施例的LED封装结构的俯视图；\n[0051] 图7示出了本实用新型第三实施例的LED封装结构的俯视图；\n[0052] 图8示出了本实用新型第四实施例的LED封装结构的俯视图。\n具体实施方式\n[0053] 以下将参照附图更详细地描述本实用新型。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，在图中可能未示出某些公知的部分。\n[0054] 在下文中描述了本实用新型的许多特定的细节，例如部件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本实用新型。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本实用新型。\n[0055] 应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。\n[0056] 图1示出了本实用新型第一实施例的LED封装结构的立体结构示意图；图2示出了图1沿AA方向的截面图；如图1和图2所示，所述LED封装结构包括基板110、位于所述基板110第一表面的多组第一LED芯片组和多组第二LED芯片组。\n[0057] 每组所述第一LED芯片组包括一个或者多个第一LED芯片131，每组所述第二LED芯片组包括一个或者多个第二LED芯片132。每组所述第一LED芯片组的一个或者多个第一LED芯片131在第一方向(例如图1中的D1方向)上呈直线排布，且一个或者多个第一LED芯片131关于与所述第一方向垂直的第二方向(例如图1中的D2方向)对称；每组所述第二LED芯片组的一个或者多个第二LED芯片132在第一方向(例如图1中的D1方向)上呈直线排布，且一个或者多个第二LED芯片132关于与所述第一方向垂直的第二方向(例如图1中的D2方向)对称；所述第一LED芯片组和所述第二LED芯片组在第二方向上交替排列，且第一LED芯片组和第二LED芯片组中的LED芯片关于第一方向对称。\n[0058] 换言之，第一LED芯片组和第二芯片组构成的阵列在相互垂直的第一方向和第二方向上对称分布，且在第一方向上的对称轴和在第二方向上的对称轴的交点位于所述基板\n110的中心；多组第一LED芯片组和多组第二LED芯片组在第一方向上平行排列，且第一LED芯片组和第二LED芯片组在与第一方向垂直的第二方向上交替排列。\n[0059] 在一个具体的实施例中，所述基板110为矩形。所述第一方向平行于矩形基板110的一组对边，所述第二方向平行于矩形基板110的另一组对边。\n[0060] 优选地，每个LED芯片组中的各个LED芯片之间的间距相等，且相邻LED芯片组之间的间距相等。\n[0061] 所述第一LED芯片组和第二LED芯片组的组数相等，所述第一LED芯片组和第二LED芯片组的组数总和在4～12之间，且为偶数，即所述第一LED芯片组和第二LED芯片组的组数均为2组、3组、4组、5组或6组。所述第一LED芯片131和所述第二LED芯片132的总数量相等，每组所述第一LED芯片组中第一LED芯片131以及每组所述第二LED芯片组中第二LED芯片\n132的芯片数量相同或者不同。在第二方向上，每组LED芯片组中LED芯片的数量小于或者等于与之相邻且更靠近中心的LED芯片组中LED芯片的数量。\n[0062] 在本实施例中，所述第一LED芯片组和第二LED芯片组的组数总和为6，其中第一LED芯片组为3组，第二LED芯片组为3组。排列在最外侧的第一LED芯片组包括两个第一LED芯片131，其余的第一LED芯片组包括五个第一LED芯片131。排列在最外侧的第二LED芯片组包括两个第二LED芯片132，其余的第二LED芯片组包括五个第二LED芯片132。\n[0063] 本实施例中，所述第一LED芯片131和所述第二LED芯片132均为正方形，且边长的尺寸相等；所述第一LED芯片131和所述第二LED芯片132均为倒装芯片或者垂直芯片，发出的光位于可见光波段，例如峰值波长为440nm至460nm的蓝光波段。\n[0064] 所述基板110采用陶瓷基板，例如为氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板以及其他陶瓷材料基板，以提高散热性以及可靠性。在具体的实施例中，当LED芯片的功率相对较小时，所述基板110例如为氧化铝陶瓷基板，其具有较好的散热性；当LED芯片的功率相对较大时，所述基板110例如为氮化铝陶瓷基板，其具有优异的散热性。\n[0065] 继续参照图1，所述LED封装结构还包括波长转换器，所述波长转换器覆盖所述第一LED芯片131和所述第二LED芯片132的表面，将所述第一LED芯片131和所述第二LED芯片\n132发出的蓝光转化成白光。\n[0066] 波长转换器包括第一波长转换器141和第二波长转换器142，其中，所述第一波长转换器141覆盖所述第一LED芯片组中的第一LED芯片131，所述第二波长转换器142覆盖所述第二LED芯片组中的第二LED芯片132。所述第一LED芯片组中的第一LED芯片131经过所述第一波长转转器141转换成冷色光，所述第二LED芯片组中的第二LED芯片132经过所述第二波长转转器142转换成暖色光。\n[0067] 具体地，所述第一LED芯片组中的第一LED芯片131发出的蓝光经过所述第一波长转换器141，其中一部分蓝光被所述第一波长转换器141转化，另一部分则直接穿过所述第一波长转换器141，被转化的蓝光和直接穿过的蓝光混合成所需要的冷色光。所述第一波长转换器141能够激发产生470nm至780nm的光，其峰值波长为500nm至510nm；所述第一LED芯片131经所述第一波长转换器141后形成的冷色光的色温介于6000K至8000K之间，显色指数大于85。\n[0068] 所述第二LED芯片132发出的蓝光被所述第二波长转换器142转化成暖色光。所述第二波长转换器142能够激发产生470nm至780nm的光，其峰值波长为600nm至640nm；所述第二LED芯片132经所述第二波长转换器142后形成的暖色光的色温介于2700K至3300K之间，显色指数大于85。\n[0069] 本实施例中，所述第一波长转换器141和所述第二波长转换器142为荧光粉膜。荧光粉膜的尺寸大于或者等于所述第一LED芯片131和所述第二LED芯片132的尺寸，避免所述第一LED芯片131和所述第二LED芯片132漏蓝光。在一个具体的实施例中，荧光粉膜的外边缘超出所述第一LED芯片131和所述第二LED芯片132的外边缘的距离为0～50微米。\n[0070] 图3示出了本实用新型第一实施例的LED封装结构的电路连接示意图；如图3所示，多组第一LED芯片组中的多个第一LED芯片131之间串联，串联的第一LED芯片131经由第一波长转换器141转换成冷色光；多组第二LED芯片组中的多个第二LED芯片132之间串联，串联的第二LED芯片132经由第二波长转换器142转换成暖色光；且第一LED芯片组的第一LED芯片131和第二LED芯片组的第二LED芯片132之间无电路连接，第一LED芯片组和第二芯片组均可实现单独控制。\n[0071] 图4示出了本实用新型第一实施例的LED封装结构的仰视图，如图4所示，所述LED封装结构还包括焊盘150，所述焊盘150位于所述基板110的第二表面，所述第二表面和所述第一表面相对。所述焊盘150包括正极焊盘151、负极焊盘152以及散热焊盘153，所述散热焊盘153位于所述基板110的第二表面的中部，所述正极焊盘152和所述负极焊盘153分别位于所述散热焊盘153的两侧。\n[0072] 其中，所述正极焊盘151包括相互分离的第一正极焊盘1511和第二正极焊盘1512，负极焊盘152包括相互分离的第一负极焊盘1521和第二负极焊盘1522。\n[0073] 串联的第一LED芯片131与所述基板110第二表面的第一正极焊盘1511和第一负极焊盘1521电连接，串联的第二LED芯片132与所述基板110第二表面的第二正极焊盘1512和第二负极焊盘1522电连接；所述第一正极焊盘1511和所述第二正极焊盘1512之间分离设置，以及第一负极焊盘1521和所述第二负极焊盘1522分离设置，保证第一LED芯片组中的第一LED芯片131和第二LED芯片组中的第二LED芯片132之间的单独控制。\n[0074] 继续参照图1和图2，所述LED封装结构还包括围坝160，所述围坝160位于多个相邻的LED芯片之间以及LED芯片的外围，并暴露出所述LED芯片的表面。所述围坝160例如采用较高反射率的白色不透明胶体。所述围坝160用于反射第一LED芯片131和第二LED芯片132侧面的光，使得所述第一LED芯片131发出的光只进入所述第一波长转换器141，所述第二LED芯片132发出的光只进入第二波长转换器142。\n[0075] 图5示出了本实用新型第一实施例的LED封装结构的透镜的结构示意图；如图5所示，所述LED封装结构还包括透镜170，所述透镜170为凸透镜，所述透镜170覆盖部分围坝\n160表面。所述透镜170的材料为透光材料，对所述第一LED芯片131、第二LED芯片132的出光进行折射，以提高出光率或者对光型进行调整。所述透镜170例如为硅胶或者环氧树脂等。\n[0076] 图6示出了本实用新型第二实施例的LED封装结构的俯视图，如图6所示，在本实施例中，所述第一LED芯片组和第二LED芯片组在第二方向上交替排列，所述第一LED芯片组和第二LED芯片组的组数总和为6，其中第一LED芯片组为3组，第二LED芯片组为3组。所述第一LED芯片组和第二LED芯片组组成的阵列关于第一方向和第二方向对称。\n[0077] 与第一实施例不同的是，本实施例中，每组LED芯片组中LED芯片的数量从基板外侧向内侧递增，其中，排列在最外侧的第一LED芯片组包括三个第一LED芯片，与之临接且更靠近中心的第二LED芯片组包括四个第二LED芯片；与该第二LED芯片组临接且更靠近中心的第一LED芯片组包括五个第一LED芯片，其中，第一LED芯片组中的LED芯片上覆盖有第一波长转换器141，第二LED芯片组中的LED芯片上覆盖有第二波长转换器142。\n[0078] 在本实施例中，所述第一LED芯片和所述第二LED芯片均为长方形，且尺寸相等。\n[0079] 图7示出了本实用新型第三实施例的LED封装结构的俯视图，如图7所示，在本实施例中，所述第一LED芯片组和第二LED芯片组在第二方向上交替排列，所述第一LED芯片组和第二LED芯片组的组数总和为6，其中第一LED芯片组为3组，第二LED芯片组为3组。所述第一LED芯片组和第二LED芯片组组成的阵列关于第一方向和第二方向对称。\n[0080] 与第一实施例不同的是，本实施例中，每组LED芯片组中LED芯片的数量从基板外侧向内侧递增，其中，排列在最外侧的第一LED芯片组包括两个第一LED芯片，与之临接且更靠近中心的第二LED芯片组包括四个第二LED芯片；与该第二LED芯片组临接且更靠近中心的第一LED芯片组包括六个第一LED芯片。其中，第一LED芯片组中的LED芯片上覆盖有第一波长转换器141，第二LED芯片组中的LED芯片上覆盖有第二波长转换器142。\n[0081] 图8示出了本实用新型第四实施例的LED封装结构的俯视图，如图8所示，在本实施例中，所述第一LED芯片组和第二LED芯片组在第二方向上交替排列，所述第一LED芯片组和第二LED芯片组的组数总和为6，其中第一LED芯片组为3组，第二LED芯片组为3组。所述第一LED芯片组和第二LED芯片组组成的阵列关于第一方向和第二方向对称。\n[0082] 与第一实施例不同的是，本实施例中，每组LED芯片组中LED芯片的数量相同，均为六个，即所述第一LED芯片组和第二LED芯片组组成的阵列为矩形阵列。其中，第一LED芯片组中的LED芯片上覆盖有第一波长转换器141，第二LED芯片组中的LED芯片上覆盖有第二波长转换器142。\n[0083] 本实用新型实施例中，通过在第一LED芯片组和第二LED芯片组上覆盖不同的波长转换器，以使得所述第一LED芯片组中的第一LED芯片发出冷色光，所述第二LED芯片组中的第二LED芯片发出暖色光，同时第一LED芯片组和第二LED芯片组在第二方向上交替排列，使得发出冷色光的第一LED芯片和发出暖色光的第二LED芯片均匀分布在所述基板上；且所述第一LED芯片组中的第一LED芯片以及第二LED芯片组的第二LED芯片呈直线排列，使得LED芯片的布线简单易操作。\n[0084] 在优选地实施例中，第一LED芯片组和第二芯片组构成的阵列在相互垂直的第一方向和第二方向上对称分布，且对称轴相交于所述基板的中心，以做到经过二次光学系统后光型不出现偏心的情况，且更有利于封装尺寸的最小化。\n[0085] 在优选地实施例中，在第二方向上，每组LED芯片组中LED芯片的数量小于或者等于与之相邻且更靠近中心的LED芯片组中LED芯片的数量，以使得LED芯片尽量分布于所述基板的中心，这样的LED芯片排布更容易获得圆形光斑。\n[0086] 在优选地实施例中，多组第一LED芯片组中的多个第一LED芯片之间串联，多组第二LED芯片组中的多个第二LED芯片之间串联，所述第一LED芯片组的第一LED芯片和所述第二LED芯片组的第二LED芯片之间无电路连接，以使得发出冷色光的第一LED芯片和发出暖色光的第二LED芯片实现单独控制。\n[0087] 在优选地实施例中，所述第一LED芯片组和第二LED芯片组的组数相等，以使得发出冷色光的第一LED芯片组和第二LED芯片组经过二次光学系统后具有相同的光型。\n[0088] 在优选地实施例中，当LED芯片功率相对较小时，所述基板例如为氧化铝陶瓷基板，其具有较好的散热性；当LED芯片功率相对较大时，所述基板例如为氮化铝陶瓷基板，其具有优异的散热性。通过选择不同的陶瓷基板材料，来适应不同功率的LED芯片。\n[0089] 依照本实用新型的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该实用新型仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本实用新型以及在本实用新型基础上的修改使用。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。