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半导体集成电路装置的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN95107166.1
IPC分类号：--
申请日期：
1995-06-12
申请人：
株式会社日立制作所

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体集成电路装置的制造方法
申请号	CN95107166.1	申请日期	1995-06-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1996-08-14	公开/公告号	CN1128899
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社日立制作所	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	德永尚文;奥平定之;水谷巽;田子一农;数见秀之;吉冈健
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王以平

摘要

为了在LSI制造中实现高选择比和高精度的刻蚀，在对半导体衬底上的薄膜进行干法刻蚀时，借助于使等离子体中激发到亚稳态的惰性气体与碳氟气体相互作用并选择性地获得所需的分解物的方法，精确地控制了反应气体分解物的组分。

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