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用于CMOS器件的自形成金属硅化物栅极

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200680001430.9
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/76
  • 申请日期:
    2006-01-10
  • 申请人:
    国际商业机器公司
著录项信息
专利名称用于CMOS器件的自形成金属硅化物栅极
申请号CN200680001430.9申请日期2006-01-10
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-11-28公开/公告号CN101080811
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;6查看分类表>
申请人国际商业机器公司申请人地址
美国纽约 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人国际商业机器公司当前权利人国际商业机器公司
发明人骆志炯;方隼飞;朱慧珑
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人秦晨
摘要
一种用于在FET器件中形成金属硅化物栅极的工艺,其中硅化物是自形成的(即,不需要单独的金属/硅反应步骤而形成),且不需要硅材料的CMP或回蚀。第一层硅材料(3)(多晶硅或非晶硅)形成于栅极电介质(2)上;然后在上述第一层(3)上形成一层金属(4),并在上述金属层(4)上形成第二层硅(5)。随后,实施高温(大于700℃)处理步骤,如源/漏激活退火;该步骤有效地通过金属与第一层内的硅反应在栅极电介质(2)上形成硅化物层(30)。可以实施第二高温处理步骤(如源/漏硅化),有效地利用第二层(5)的硅形成第二硅化物层(50)。各层的厚度是这样的:在高温处理中,基本上第一层的和至少第二层的一部分被硅化物材料取代。因此,可以产生充分硅化的栅极结构。

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