沉积氮化硅的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201980089876.9
IPC分类号：C23C16/34;C23C16/04;C23C16/452;C23C16/50;C23C16/455;C23C16/56;H01L21/02
申请日期：
2019-11-11
申请人：
应用材料公司

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著录项信息

专利名称	沉积氮化硅的方法
申请号	CN201980089876.9	申请日期	2019-11-11
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-31	公开/公告号	CN113330141A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/22 以沉积金属材料以外之无机材料为特征的〔4〕 C23C16/30 沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物〔4〕 C23C16/34 氮化物〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;3;4;;;C;2;3;C;1;6;/;0;4;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;2;;;C;2;3;C;1;6;/;5;0;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;2;3;C;1;6;/;5;6;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	应用材料公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	应用材料公司	当前权利人	应用材料公司
发明人	L·C·卡鲁塔拉格;M·J·萨利;P·P·杰哈;梁璟梅
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	汪骏飞;侯颖媖

摘要

本文描述及论述的实施例提供了通过气相沉积，如通过可流动化学气相沉积(FCVD)沉积氮化硅材料的方法，及利用新的硅氮前驱物进行此种沉积工艺的方法。氮化硅材料沉积在基板上以用于间隙填充应用，如填充基板表面中形成的沟槽。在一个或更多个实施例中，用于沉积氮化硅膜的方法包括将一种或更多种硅氮前驱物及一种或更多种等离子体活化的共反应物引入处理腔室；在处理腔室内产生等离子体；以及使硅氮前驱物及等离子体活化的共反应物在等离子体中反应，以在处理腔室内的基板上产生可流动的氮化硅材料。该方法还包括处理可流动氮化硅材料以在基板上产生固态氮化硅材料。

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