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具有高密度电性连接的多波长发光模块

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810008520.1
  • IPC分类号:F21V19/00;F21V23/00;H05B37/00;G03B27/54;G03B27/16;F21Y101/02
  • 申请日期:
    2008-01-23
  • 申请人:
    环隆电气股份有限公司
著录项信息
专利名称具有高密度电性连接的多波长发光模块
申请号CN200810008520.1申请日期2008-01-23
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-07-29公开/公告号CN101493214
优先权暂无优先权号暂无
主分类号F21V19/00IPC分类号F;2;1;V;1;9;/;0;0;;;F;2;1;V;2;3;/;0;0;;;H;0;5;B;3;7;/;0;0;;;G;0;3;B;2;7;/;5;4;;;G;0;3;B;2;7;/;1;6;;;F;2;1;Y;1;0;1;/;0;2查看分类表>
申请人环隆电气股份有限公司申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人环旭电子股份有限公司,环鸿科技股份有限公司当前权利人环旭电子股份有限公司,环鸿科技股份有限公司
发明人吴明哲
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司代理人陈晨
摘要
本发明涉及一种具有高密度电性连接的多波长发光模块,包括:驱动集成电路结构及多波长发光二极管阵列结构。驱动集成电路结构的上表面具有驱动集成电路单元,驱动集成电路单元具有多个驱动集成电路焊盘。多波长发光二极管阵列结构设置于驱动集成电路结构的上表面,并且多波长发光二极管阵列结构的外表面具有电性连接于驱动集成电路单元的导电轨迹单元。导电轨迹单元包括多个分别成形于每一个单波长发光二极管阵列的上表面上的发光二极管导电轨迹及多个分别成形于每一个单波长发光二极管阵列的两侧表面上的发光二极管焊盘,以使得每一个发光二极管晶粒依序通过每一个发光二极管导电轨迹及每一个发光二极管焊盘而电性连接于每一个驱动集成电路焊盘。

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