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一种四颗二极管集成芯片

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201920611001.8
  • IPC分类号:H01L23/29;H01L23/31;H01L29/06;H01L27/08;H01L21/56;H01L21/8222
  • 申请日期:
    2019-04-30
  • 申请人:
    苏州固锝电子股份有限公司
著录项信息
专利名称一种四颗二极管集成芯片
申请号CN201920611001.8申请日期2019-04-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/29IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;2;9;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;7;/;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2;2查看分类表>
申请人苏州固锝电子股份有限公司申请人地址
江苏省苏州市新区通安经济开发区通锡路31号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州固锝电子股份有限公司当前权利人苏州固锝电子股份有限公司
发明人吴念博
代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司代理人马明渡;陈昊宇
摘要
一种四颗二极管集成芯片,包括硅片衬底,通过第一次硼杂质掺杂形成有第一P+区,在上下方向贯通硅片衬底形成隔离墙,在硅片衬底中隔离出四间隔块;各间隔块的上表面通过磷杂质掺杂形成有N+区,并通过第二次硼杂质掺杂形成有第二P+区,且N+区与第一P+区、第二P+区均间隔设置;第二P+区的边缘区域开有沟槽;硅片衬底上表面于N+区、第二P+区的周边区域及沟槽的表面覆盖有多晶硅钝化复合薄膜层;沟槽中还填充有玻璃胶,并通过高温烧结形成玻璃钝化层;N+区及第二P+区的表面均沉积有金属层形成金属电极。本实用新型具有工艺简单、集成度高、体积小且品质高等优点。

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