原子力显微镜测量纳米薄膜材料电阻分布的装置及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410014657.3
IPC分类号：G01Q60/24
申请日期：
2014-01-13
申请人：
西安交通大学

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著录项信息

专利名称	原子力显微镜测量纳米薄膜材料电阻分布的装置及方法
申请号	CN201410014657.3	申请日期	2014-01-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-05-14	公开/公告号	CN103792392A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01Q60/24 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01Q 扫描探针技术或设备；扫描探针技术的应用，例如，扫描探针显微术〔SPM〕〔2010.01〕 G01Q60/00 特殊类型的SPM 〔扫描探针显微术〕或其设备；其基本组成〔2010.01〕 G01Q60/24 AFM 〔原子力显微术〕或其设备，例如AFM探针〔2010.01〕	IPC分类号	G;0;1;Q;6;0;/;2;4查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	陕西省西安市碑林区咸宁西路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安交通大学	当前权利人	西安交通大学
发明人	刁东风;张冬青;范雪
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	陆万寿

摘要

本发明公开了一种原子力显微镜测量纳米薄膜材料电阻分布的装置及方法，包括绝缘基底，以及放置在绝缘基底上的待测样品，待测样品的两侧分别设置有电极；防止有待测样品的绝缘基底置于原子力显微镜的载物平台上，原子力显微镜的导电探针的末端通过导线连接到电压表的正极上，电压表的负极接地；电压表的数据输出端与电脑相连。本发明采用原子力显微镜，通过给待测样品施加恒定的平行于样品表面的直流电流，利用原子力显微镜的导电探针测量样品上各点的对地电势，通过计算相邻点的电势差，就能得到这两点之间的电阻分布情况。本发明装置结构简单，对样品的客观要求低，测量出的结果误差小，可以表征因纳米结构而电阻分布不均匀的材料。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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