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用以改善线宽稳定性的SiON表面处理方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210458254.9
IPC分类号：H01L21/027;H01L21/033
申请日期：
2012-11-15
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用以改善线宽稳定性的SiON表面处理方法
申请号	CN201210458254.9	申请日期	2012-11-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-05-21	公开/公告号	CN103811311A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/027 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/027 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;H;0;1;L;2;1;/;0;3;3查看分类表>
申请人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	虞颖;刘改花;郭振华;王雷;刘鹏
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	刘昌荣

摘要

本发明公开了一种用以改善线宽稳定性的SiON表面处理方法，该方法在SiON薄膜沉积后，进行光刻工艺前，用水汽、氧气和氮气的混合气体的等离子体对SiON薄膜进行前处理。通过对SiON抗反射层的表面进行特殊的前处理，有效地改善了0.13μm制程的光刻过程及重新光刻过程中线宽的稳定性。

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