半导体器件的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510051377.0
IPC分类号：--
申请日期：
2005-03-08
申请人：
株式会社东芝

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体器件的制造方法
申请号	CN200510051377.0	申请日期	2005-03-08
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-09-14	公开/公告号	CN1667797
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝	当前权利人	株式会社东芝
发明人	井守义久;堀将彦
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	李峥;于静

摘要

在晶片中形成半导体元件，在该晶片的上层形成包含相对介电系数低的绝缘膜的多层膜。然后，在上述多层膜的切片线上边形成作为位置对准标记和测试焊盘中的至少一方发挥作用的金属层。其次，向把切片线上边的上述位置对准标记和测试焊盘覆盖起来的区域上照射激光。然后，通过对切片线的位置对准标记和测试焊盘中的至少一方上进行比激光的照射区域更窄的机械性的切片，使半导体晶片个片化，形成半导体芯片。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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