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一种具有裂纹的导电薄膜的高灵敏度传感器及其制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201480042994.1
IPC分类号：H01B5/14;H01B13/00
申请日期：
2014-12-03
申请人：
多次元能源系统研究集团;首尔大学校产学协力团;成均馆大学校产学协力团

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种具有裂纹的导电薄膜的高灵敏度传感器及其制作方法
申请号	CN201480042994.1	申请日期	2014-12-03
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-05-25	公开/公告号	CN105612588A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B5/14 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B5/00 按形状区分的非绝缘导体或导电物体 H01B5/14 在绝缘支承物上有导电层或导电薄膜的	IPC分类号	H;0;1;B;5;/;1;4;;;H;0;1;B;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	多次元能源系统研究集团;首尔大学校产学协力团;成均馆大学校产学协力团	申请人地址	韩国首尔冠岳区冠岳路1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	多次元能源系统研究集团,首尔大学校产学协力团,成均馆大学校产学协力团	当前权利人	多次元能源系统研究集团,首尔大学校产学协力团,成均馆大学校产学协力团
发明人	姜大植;崔瑢桓;李赞锡;徐甲亮;金泰一;崔万秀
代理机构	深圳市顺天达专利商标代理有限公司	代理人	蔡晓红;柯夏荷

摘要

本发明公开了一种具有裂纹的高灵敏度传感器。本发明的高灵敏度传感器通过在形成于载体上的导电薄膜上形成细微裂纹获得，所述细微裂纹形成一个电性变化的微连接结构，形成短路或者开路产生电阻值的变化，从而将外界刺激转化为电信号。本发明的高灵敏度传感器能够有效的应用于位移传感器、压力传感器、振动传感器、人造皮肤、声音识别系统等。

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