加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种MOSFET栅极结构及其制备工艺

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610147712.1
  • IPC分类号:H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336
  • 申请日期:
    2006-12-21
  • 申请人:
    上海集成电路研发中心有限公司
著录项信息
专利名称一种MOSFET栅极结构及其制备工艺
申请号CN200610147712.1申请日期2006-12-21
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-07-25公开/公告号CN101005094
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/423IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人上海集成电路研发中心有限公司申请人地址
上海市张江碧波路177号4楼B区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海集成电路研发中心有限公司当前权利人上海集成电路研发中心有限公司
发明人胡恒升
代理机构上海智信专利代理有限公司代理人王洁
摘要
本发明公开了一种MOSFET栅极结构及其制备工艺,对整个晶体管的形成过程做了巨大的调整,提供了一组新的流程和工艺选择,并由此形成了新的器件结构,展示了新的器件控制机制,例如栅极控制区域与实际沟道长度有一定的偏差,同时放宽了对最小线宽尺寸的工艺能力要求,适合于深亚微米/纳米工艺。在制备工艺上通过增加一道光刻,刻蚀多晶硅形成凹陷结构,解决了形成硅化物过程中大家担心的桥联现象。栅极通过形成相对于传统工艺更宽的硅化物有效地降低了接触电阻。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供