一种MOSFET栅极结构及其制备工艺

发明专利无效专利

申请号：
CN200610147712.1
IPC分类号：H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336
申请日期：
2006-12-21
申请人：
上海集成电路研发中心有限公司

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著录项信息

专利名称	一种MOSFET栅极结构及其制备工艺
申请号	CN200610147712.1	申请日期	2006-12-21
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-07-25	公开/公告号	CN101005094
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/423 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/40 按其电极特征区分的〔2〕 H01L29/41 以其形状、相对尺寸或位置为特征的〔6〕 H01L29/423 不通有待整流、放大或切换电流的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	上海集成电路研发中心有限公司	申请人地址	上海市张江碧波路177号4楼B区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海集成电路研发中心有限公司	当前权利人	上海集成电路研发中心有限公司
发明人	胡恒升
代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	王洁

摘要

本发明公开了一种MOSFET栅极结构及其制备工艺，对整个晶体管的形成过程做了巨大的调整，提供了一组新的流程和工艺选择，并由此形成了新的器件结构，展示了新的器件控制机制，例如栅极控制区域与实际沟道长度有一定的偏差，同时放宽了对最小线宽尺寸的工艺能力要求，适合于深亚微米/纳米工艺。在制备工艺上通过增加一道光刻，刻蚀多晶硅形成凹陷结构，解决了形成硅化物过程中大家担心的桥联现象。栅极通过形成相对于传统工艺更宽的硅化物有效地降低了接触电阻。

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