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一种高介电蛋清薄膜材料的制备方法以及可穿戴电子器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910059887.4
  • IPC分类号:C08L89/00;C08K5/06;C08K3/26;C08J5/18
  • 申请日期:
    2019-01-22
  • 申请人:
    西南大学
著录项信息
专利名称一种高介电蛋清薄膜材料的制备方法以及可穿戴电子器件
申请号CN201910059887.4申请日期2019-01-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-05-03公开/公告号CN109705585A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C08L89/00IPC分类号C;0;8;L;8;9;/;0;0;;;C;0;8;K;5;/;0;6;;;C;0;8;K;3;/;2;6;;;C;0;8;J;5;/;1;8查看分类表>
申请人西南大学申请人地址
重庆市北碚区天生路2号西南大学人人工智能学院 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西南大学当前权利人西南大学
发明人周广东;段书凯;王丽丹;胡小芳
代理机构北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙)代理人李宏伟
摘要
本发明适用于材料技术领域,提供了一种高介电蛋清薄膜材料的制备方法以及可穿戴电子器件。该薄膜制备方法包括:从禽蛋中提取出蛋清溶液;按配方称取三聚甘油、5,6‑二羟基吲哚、NaHCO3粉末和蛋清溶液;将三聚甘油加入称好的蛋清溶液中,在室温条件下搅拌2.5~3.5小时,得到第一混合液;向第一混合液加入5,6‑二羟基吲哚和NaHCO3粉末,并搅拌至溶液颜色变为黑紫色,得到第二混合液;将第二混合液均匀滩涂在预先准备好的玻璃板上,并于95℃~99℃保持2.5~3.5小时烘干,取出并冷却至室温后剥离,得到薄膜材料。采用本发明制备方法制得的薄膜材料,采用成本低廉且可生物降解的禽蛋蛋清作为薄膜主要原料,并且制得的薄膜材料具有优异的介电性能,可与目前的使用的HfO2媲美。

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