存储电路和用于将电源应用到存储电路的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200810096656.2
IPC分类号：G11C11/413;G11C5/14
申请日期：
2008-02-15
申请人：
意法半导体公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	存储电路和用于将电源应用到存储电路的方法
申请号	CN200810096656.2	申请日期	2008-02-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2008-11-12	公开/公告号	CN101303888
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/413 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/41 用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特（Schmitt）触发器〔5〕 G11C11/413 辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;1;3;;;G;1;1;C;5;/;1;4查看分类表>
申请人	意法半导体公司	申请人地址	美国德克萨斯州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	意法半导体公司	当前权利人	意法半导体公司
发明人	M·A·利辛格;D·麦克卢尔;F·雅凯
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	刘杰;陈景峻

摘要

本发明涉及具有电压的可转换电源组的SRAM。一种电路，包括具有高电源电压节点和低电源电压节点的存储单元。依赖于该存储单元的电流操作模式，电源多路复用电路被提供用于可选择地将第一组电压和第二组电压之一应用到该存储单元的该高和低电源电压节点。更特别的是，该第二组电压中的低电压高于该第一组电压中的低电压，并且其中该第二组电压中的高电压小于该第一组电压中的高电压。该存储单元可以是存储单元阵列中的一员。该阵列可以包括位于存储器设备之内的区块或节，该存储器设备包括多个区块或节，在这种情况下，将电压应用到单独的区块/节上的该可选择应用依赖于该区块/节自身的该激活/待机模式。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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