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一种杂散光吸收器、光芯片及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010995714.6
  • IPC分类号:G02B6/12
  • 申请日期:
    2020-09-21
  • 申请人:
    珠海奇芯光电科技有限公司;西安奇芯光电科技有限公司
著录项信息
专利名称一种杂散光吸收器、光芯片及其制作方法
申请号CN202010995714.6申请日期2020-09-21
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-12-18公开/公告号CN112099136A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B6/12IPC分类号G;0;2;B;6;/;1;2查看分类表>
申请人珠海奇芯光电科技有限公司;西安奇芯光电科技有限公司申请人地址
广东省珠海市横琴新区环岛东路1889号创意谷20栋401-407 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人珠海奇芯光电科技有限公司,西安奇芯光电科技有限公司当前权利人珠海奇芯光电科技有限公司,西安奇芯光电科技有限公司
发明人杜炳政;朱晓田;李特尔·布兰特·埃弗雷特;戴维森·罗伊·理查德;张强;李伟恒;王翔
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司代理人唐沛
摘要
本发明公开了一种杂散光吸收器、光芯片及其制作方法。本发明基于灰度刻蚀的方式在芯片开设凹槽,凹槽内填充有可将不同波长的杂散光全部吸收的吸收材料,从而构成杂散光吸收器,能够有效的去除光芯片的不同波长、不同模式、不同角度的杂散光,且工艺步骤简单,布局灵活且成本低。

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